Sáng kiến mặt nạ 12 inch gồm những gì
Mặt nạ quang khắc là tấm khuôn mang hình mạch điện, được chiếu sáng để in mạch lên tấm silicon. High NA EUV là dòng máy in bằng tia cực tím cực ngắn có khẩu độ số cao, tức khả năng gom và hội tụ ánh sáng tốt hơn. Theo thông cáo của ASML và TSMC ngày 8/9/2026, máy High NA sẽ vào sản xuất trước với mặt nạ 6 inch hiện nay.
Sáng kiến đặt mục tiêu có dây chuyền thử nghiệm mặt nạ 12 inch vào năm 2031, và hệ thống in dùng mặt nạ 12 inch sẵn sàng cho sản xuất vào năm 2033. Hai hãng cho biết mặt nạ lớn hơn giúp tăng năng suất nhà máy, giảm chi phí và bỏ bớt việc ghép hai lần chiếu với chip cỡ lớn.
Kế hoạch của TSMC từ năm 2030
Theo thông cáo của TSMC, hãng sẽ dùng công nghệ High NA của ASML cho sản xuất hàng loạt ở các tiến trình tiên tiến từ năm 2030. TSMC dự kiến số lớp mạch cần máy High NA sẽ tăng dần, chủ yếu do cấu trúc bóng bán dẫn cho chip AI ngày càng phức tạp. Các hãng khác đang dùng High NA EUV và một số nhà cung cấp lớn đã bày tỏ ý định tham gia sáng kiến.