Samsung huy động nhân lực cho dây chuyền hybrid bonding HBM thế hệ mới

Theo nguồn tin từ ngành công nghiệp bán dẫn, Samsung Electronics đã thành lập một đội ngũ chuyên trách bằng cách điều động nhân sự thiết bị từ các quy trình khác nhau nhằm thiết lập dây chuyền sản xuất thử nghiệm cho hybrid bonding phục vụ HBM, ở cấp độ 1-Pass – giai đoạn đầu tiên của dây chuyền pilot, nơi chỉ bố trí một máy cho mỗi công đoạn để kiểm tra luồng sản xuất. Thông thường, nhóm phát triển sẽ hoàn thiện quy trình đến mức 2-Pass (hai máy mỗi công đoạn) trước khi bàn giao cho nhóm sản xuất, nhưng Samsung đã chủ động đưa nhân sự sản xuất và kỹ thuật vào ngay từ giai đoạn 1-Pass để tăng tốc.

Vì sao chọn Hwaseong làm địa điểm chiến lược?

Dây chuyền hybrid bonding cho HBM sẽ được đặt tại khu phức hợp Hwaseong. Nơi đây từng được Samsung sử dụng làm trung tâm sản xuất hybrid bonding cho cảm biến hình ảnh (CIS), do đó đã có sẵn cơ sở hạ tầng liên quan. Trước đó, Samsung cân nhắc giữa Cheonan (nơi vận hành thiết bị đóng gói) và Hwaseong, nhưng cuối cùng chọn Hwaseong nhờ lợi thế tận dụng hạ tầng và kinh nghiệm sản xuất CIS hybrid bonding để đẩy nhanh tiến độ.

Samsung tiên phong ứng dụng hybrid bonding trong HBM

Samsung được đánh giá là nhà sản xuất HBM tích cực nhất trong việc áp dụng công nghệ hybrid bonding. Công ty đã cung cấp mẫu thử HBM4 chế tạo bằng hybrid bonding cho các khách hàng lớn như NVIDIA và đang tiến hành đánh giá chất lượng. Trước đó, tại Computex 2026, CTO của Samsung, ông Song Jae-hyuk, khẳng định hybrid bonding đã được lấy mẫu cho nhiều khách hàng và là lĩnh vực thể hiện năng lực cạnh tranh của Samsung trong quy trình silicon.

SK Hynix chọn hướng đi riêng: iHBM thay vì hybrid bonding

Trái ngược với Samsung, SK Hynix dự kiến trì hoãn việc áp dụng hybrid bonding vào HBM. Hãng này đã phát triển công nghệ iHBM, tích hợp bộ phận làm mát bằng silicon (ICE) bên trong gói HBM, giúp giảm nhiệt trở hơn 30% mà không cần hybrid bonding. Điều này đặc biệt quan trọng khi HBM nhiều lớp hơn gây ra vấn đề nhiệt nghiêm trọng.

Tiêu chuẩn JEDEC và triển vọng tương lai

JEDEC đang thảo luận về việc nới lỏng thêm tiêu chuẩn chiều cao gói HBM từ 775 µm lên khoảng 900 µm. Nếu được thông qua vào nửa cuối năm sau, điều này có thể trì hoãn việc áp dụng hybrid bonding, vì các nhà sản xuất có thể sử dụng giải pháp thay thế. Dự kiến tiêu chuẩn mới sẽ áp dụng cho HBM5 (thế hệ thứ 9) với 20 lớp xếp chồng. SK Hynix có kế hoạch ứng phó với thế hệ tiếp theo bằng công nghệ MR-MUF và iHBM.

Ý nghĩa với người đọc Việt Nam

Samsung là một trong những nhà đầu tư nước ngoài lớn nhất tại Việt Nam, với các nhà máy sản xuất điện thoại, linh kiện và thiết bị bán dẫn tại Bắc Ninh, Thái Nguyên và TP.HCM. Việc Samsung đẩy mạnh phát triển công nghệ hybrid bonding cho HBM thể hiện cam kết duy trì vị thế dẫn đầu trong lĩnh vực bán dẫn, điều này có thể tác động tích cực đến chuỗi cung ứng và cơ hội hợp tác với các đối tác tại Việt Nam trong tương lai.

Ảnh: marclyc li / Pexels