Ngày 5/8/2026, tại FMS 2026 ở Santa Clara (Mỹ), Samsung Electronics công bố mô hình thực tế (mock-up) của zHBM và zNAND-O cùng V10 BV-NAND vượt mốc 400 lớp. zHBM cho hiệu năng cao hơn tối đa 8 lần HBM5 – thế hệ bộ nhớ băng thông cao (HBM) kế tiếp – hiệu suất trên mỗi watt cao hơn tối đa 3 lần và nhiệt trở giảm còn một nửa hoặc thấp hơn.
FMS (Future of Memory and Storage) là hội nghị, triển lãm bộ nhớ bán dẫn lớn nhất thế giới, đang diễn ra tại Trung tâm Hội nghị Santa Clara đến hết ngày 6/8 (giờ địa phương). Samsung cho biết hãng muốn trình bày tầm nhìn công nghệ nhằm tối đa hóa hiệu năng và hiệu quả năng lượng khi nhu cầu xử lý AI đang tăng bùng nổ.
Samsung zHBM và zNAND-O là gì?
HBM (High Bandwidth Memory – bộ nhớ băng thông cao) là loại bộ nhớ gắn cạnh bộ xử lý AI để truyền dữ liệu tốc độ lớn. zHBM là kiến trúc 3D mới xếp chồng HBM theo chiều dọc ngay phía trên bộ tăng tốc AI (xPU) – loại chip chuyên xử lý AI – thay vì đặt nằm ngang bên cạnh như trước. Nhờ giảm quãng đường di chuyển dữ liệu giữa các chip, băng thông và hiệu quả năng lượng được cải thiện đáng kể, hỗ trợ huấn luyện và suy luận các mô hình AI quy mô lớn.
zHBM còn là giải pháp 3D có thể tùy biến theo khách hàng. Lớp trung gian (interlayer) nằm giữa bộ nhớ và bộ tăng tốc có thể bổ sung khối thiết kế tùy chỉnh, giúp mở rộng dung lượng hoặc tăng sức mạnh xử lý theo yêu cầu. zNAND-O là dòng bộ nhớ flash NAND hiệu năng cao, kết hợp công nghệ xếp lớp dọc V-NAND với công nghệ điện cực xuyên silicon (TSV) để đóng gói 4 hoặc 8 chip bán dẫn theo dạng 3D. Ký tự "-O" trong tên sản phẩm biểu thị khả năng tối ưu cho on-device AI (AI trên thiết bị), với ưu thế về không gian, băng thông nạp dữ liệu và tốc độ phản hồi nhanh nhằm xử lý dữ liệu thời gian thực.
Hiệu năng zHBM vượt trội ra sao so với HBM5?
| Chỉ số | zHBM so với HBM5 |
|---|---|
| Hiệu năng tối đa | Cao hơn tối đa 8 lần |
| Hiệu suất trên mỗi watt | Cao hơn tối đa 3 lần |
| Nhiệt trở | Giảm còn một nửa hoặc thấp hơn |
Theo công bố, hiệu năng tăng nhờ đường truyền tín hiệu ngắn hơn. Nhiệt trở thấp hơn giúp hệ thống dung lượng cao, băng thông lớn hoạt động ổn định hơn.
V10 BV-NAND 400 lớp – kỷ lục mới trong ngành
Bên cạnh zHBM và zNAND-O, Samsung cũng công bố V10 BV-NAND – dòng V-NAND thế hệ thứ 10 đầu tiên của ngành vượt mốc xếp chồng dọc 400 lớp. Sản phẩm dùng kỹ thuật gắn kết phiến silicon (wafer bonding) và kỹ thuật xếp 3 tầng (3 Stack) để đạt cấu trúc siêu cao tầng, giúp mật độ bộ nhớ tăng khoảng 58% so với thế hệ trước V9. Nhờ đó, cùng một diện tích có thể lưu nhiều dữ liệu hơn, đồng thời tốc độ đọc/ghi và tốc độ I/O (input/output – truyền dữ liệu vào/ra) cũng được cải thiện.
Đại diện Samsung nhấn mạnh hãng sẽ chủ động đáp ứng nhu cầu hạ tầng AI tăng trưởng dựa trên zHBM, zNAND-O và các thế hệ bộ nhớ 3D. Hãng cũng đặt mục tiêu dẫn dắt hệ sinh thái bộ nhớ tối đa hóa hiệu năng và hiệu quả năng lượng cho AI thông qua hợp tác với khách hàng toàn cầu.
Ý nghĩa với người đọc Việt Nam
Samsung là thương hiệu có nhà máy sản xuất điện thoại thông minh lớn tại Việt Nam, nên công nghệ bộ nhớ mới của hãng có thể ảnh hưởng đến các sản phẩm người dùng Việt sử dụng trong tương lai. Đặc biệt, zNAND-O hướng đến on-device AI – xu hướng xử lý AI ngay trên thiết bị thay vì gửi dữ liệu lên đám mây – có thể giúp điện thoại, laptop xử lý nhanh hơn và tiết kiệm điện hơn.
Theo Dailycar
Ảnh: MasterTux / Pixabay
